近期，瑞士巴塞爾大學研究者表示向二硫化鉬（MoS2）半導體材料中加入超導體，能使所製成的新材料擁有與矽晶體類似的特性，因而有望取代矽基芯片。
受“摩爾定律”影響，制程工藝的提升難度極大，目前的矽基芯片達到1nm的制程工藝已經是極限了。因此，要想繼續提升芯片的整體性能，唯一的辦法就是尋找可替代的半導體材料來解决這個問題。注意：摩爾定律是指IC上可容納的晶體管數目，約每隔18個月便會增加一倍，性能也將提升一倍。
具有與石墨烯層狀結構相似的MoS2半導體材料因有優异的電學、光學、熱學、磁學等性能，而被認爲新一代的理想型芯片材料，不過它一定缺陷，如電荷依附會造成産品發熱、耗能等情况，因此幷不適合目前的需求。
爲了解决這個問題，瑞士巴塞爾大學研究者對二硫化鉬材料進行分離，實現了每一個單獨層的厚度不超過一個分子；後用氮化硼薄層覆蓋在MoS2的兩側，同時加入一層氮化硼和一層石墨烯，在相結合之後便誕生了全新的半導體材料。
全新的半導體材料放置在二氧化矽晶片的頂部，在層層的堆積反應性下形成了新的材料。實驗表明，在各種惡劣環境如超低溫的狀態下，這種材料依舊可以保持很好的强耦合性，是半導體材料所具備的特性。
該實驗的成功，也充分證實了矽晶體可被超薄半導體材料替代的可能性，同時也意味著摩爾定律的極限有望被攻克，對于實現1nm芯片工藝提供了更多的可能性，未來全球半導體的發展方向或將有所改變。
