氧化鎢粉體容易形成非標準的化學計量，是一種寬頻隙半導體，光學帶隙在3.00eV左右，可用於製備氧化鎢膜，再用於組裝電致變色器件，所得器件的性能強烈地依賴於原料氧化鎢製備的方法和條件。
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其中，專家表示，注入離子，WO3膜著色呈現出深藍色，而離子注入相當於半導體的摻雜，室溫電導率可以從10^-10s/cm變成10^3s/cm，折射率由1.75變至2.8，光學帶隙由2.9eV增加至3.2eV，從而導致了電致變色效率、電致變色回應的顯著變化。也就是說，半導體摻雜或者說離子注入可以改善氧化鎢電致變色器件的電變色性能。
